CdSe/TiO2复合薄膜的制备及光电性能研究

摘要：

【摘要】以SeO2,CdCl2.5/2H2O,H2SO4为原料,采用三电极体系,分别在ITO玻璃和TiO2纳米管阵列基底上沉积CdSe薄膜。研究了不同沉积电压(-0.6,-0.7,-0.8,-0.9V,均相对于SCE)下制备的复合薄膜的晶体结构和微观形貌,并测试了其光电性能。结果表明:制备出的纳米粒子呈不均匀团聚状态;随沉积电压的增大,光吸收增强,光响应电流增大,在沉积电压为-0.8V时复合薄膜的光响应电流达到最大值,但此沉积电压下的薄膜容易剥落。综合考虑薄膜质量和光响应电流,沉积电压为-0.7V时制备的复合薄膜最佳。
【关键词】电化学沉积； TiO2纳米管；沉积电压； CdSe纳米晶薄膜；

引言：

【引言】ＴｉＯ２是一种重要的无机半导体功能材料，具有湿敏、气敏、介电效应、光电转化及优越的光催化性能等特性，在传感器、介电材料、自清洁材料、太阳能电池、光催化降解污染物等高科技领域有着重要的应用前景，已成为国内外竞相研究的热点之一。但是由于ＴｉＯ２的禁带宽度为３．２ｅＶ，只能被波长较短的紫外线（λ＜３８７ｎｍ）激发，而这部分光尚不到照射至地面太阳光谱的５％，因此太阳光辐射的利用率很低［４］；同时由于光激发产生的电子和空穴复合，导致吸收光的量子效率很低。

作者：

薛晋波；李雪方；梁伟；王红霞

作者单位：

太原理工大学材料科学与工程学院；太原理工大学山西省新材料工程技术研究中心；太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室；